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        1. EN

          M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件

          产品特性:

          采用Trench+Fieldstop技术;

          软开通特性,开通 di/dt 小,EMI 低;

          低饱和压降,导通损耗小;

          关断拖尾电流小,软关断特性;

          正温度系数,适合并联;

          高的短路电流能力(6us以上);

          开关速度快,开关损耗小;

          TVj max 达175℃;

          Type VCES
          (V)
          IC nom
          (A)
          VCE (sat)
          (V)
          Ptot
          (W)
          Eoff
          (mJ)
          RthJC
          (℃/W)
          Packages PDF资料
          MM15GT120B 1200 15 1.85 230 0.9 0.65 TO-247 预览     下载
          MM40G3T120B 1200 40 1.90 405 2.8 0.37 TO-247 预览     下载
          MM25G3T120B 1200 25 1.8 306 1.8 0.49 TO-247 预览     下载

          应用领域

          变频器

          伺服驱动器

          不间断电源

          光伏逆变器

          电动汽车

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